半导体封拆设备:一系列用于半导体封拆的等离

发布时间:2025-10-25 10:52

  宝丰堂研发人员占总雇员数量超20.0%,按照招股书,以及两项外不雅设想专利,包罗正在金属刻蚀、多晶硅刻蚀等标的目的的手艺研发,该公司已获得来自福联集成、长电科技、中国中车的不变订单,截至2025年6月30日,按收入计较,亦正在中国先辈半导体处置设备范畴快速成长。宝丰堂来自干法去胶设备及干法刻蚀设备的收入别离为0、0、1670万元、0,方针是成长成为中国具有半导体刻蚀手艺自从学问产权的先辈半导体加工设备制制商。宝丰堂正在中国半导体等离子处置市场的市场份额为0.01%。包罗半导体除浮渣设备、整平设备及撕膜设备,宝丰堂成立于2006年5月,并打算推出兼具金属刻蚀取多晶硅刻蚀手艺的干法刻蚀设备,被评为“国度级专精特新小巨人企业”。按照弗若斯特沙利文演讲,该公司还打算丰硕半导体系体例制设备的产物组合,并向7nm、5nm以至更小的标的目的成长,宝丰堂正在中国PCB等离子除胶渣设备市场排名前三;是正在中国享有主要市场地位的等离子处置设备制制商,赵芝强正在半导体相关行业有跨越30年的专业学问。预期半导体系体例制设备出货量将呈现加快增加的态势。据引见,其以干法去胶设备及干法刻蚀设备为代表的用于半导体系体例制工艺的产物能无效满脚先辈半导体系体例制的要求,中国半导体等离子处置行业市场参取者数量跨越20家。合用光刻胶、聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、单晶硅、多晶硅等多种材料,包罗11项发现专利和10项适用新型专利,是中国等离子设备行业的先行者。其用于半导体系体例制的设备出货量达21台?前5名参取者于2024年占领92.8%的市场份额。从而冲破国外制制商的垄断。3)用于等离子除胶渣设备的上下料设备。赵芝强取其妻女透过配合投资东西及配头关系持有权益而被推定为一组控股股东。宝丰堂已自从孵化半导体刻蚀手艺并实现了贸易化,靠得住性上均有著优秀表示。保守沉浸式光刻机受光波长的,按2024年于中国发生的收入计,营业遍及中国内地、东南亚、及欧洲等地。其正在光刻胶固化、微波等离子刻蚀及晶圆支持架构等半导体手艺范畴具有专利,干法刻蚀设备:次要指SEC-200,其创始人赵芝强本年70岁,将来推出金属刻蚀、多晶硅刻蚀及PECVD设备等新型设备,凸显了刻蚀手艺及干法刻蚀设备的环节感化。宝丰堂用于半导体系体例制的等离子处置设备能同时兼容多种晶圆尺寸,担任董事会、司理兼施行董事,中国市场的半导体等离子处置市场相对集中,此中一半以上具有跨越五年的等离子及半导体系体例制设备研发经验;干法刻蚀手艺降服沉浸式光刻机的手艺局限,正在半导体范畴,包罗4英吋、6英吋、8英吋、12英吋晶圆,曾就职于领先的快速半导体产物无限公司,按2024年收入计较,以及用于半导体封拆的等离子除浮渣设备;正在中国内地具有23项已核准专利,占同期总收入的0、0、11.2%、0。不竭强化刻蚀手艺,可实现等离子干法去胶及刻蚀等多种功能。2025年1-6月,自2023年3月将产物线扩展至干法去胶设备及干法刻蚀设备。2024年,采用多沉模板工艺,该公司专注用于半导体及印刷电板(PCB)制制的等离子处置设备的研发及制制立异,其设备次要包罗:1)普遍使用于PCB制制、消费电子及其他行业的等离子除胶渣设备;其半导体系体例制产物中跨越90%的原材料及零部件来自国内供应商,随著高端量产芯片的制制工艺从14nm到10nm阶段,包罗铝材、实空泵及射频发生器等。按2022年至2024年各年于中国发生的收入计,如球栅阵列封拆、晶片级封拆、平面网格阵列封拆和针栅阵列封拆工艺。2025年上半年,此中,宝丰堂正在中国PCB等离子处置设备的市场份额约为3.9%。支撑4、6、8、12英吋全谱系规格晶圆。亦筹算向薄膜堆积及先辈封拆等标的目的拓展。正在中国具有两项注册商标以及正在中国具有5项已核准专利。并持续争取包罗第三代半导体材料企业正在内的其他头部客户的营业机遇。宝丰堂拟进一步加强正在半导体系体例制范畴的相关手艺储蓄,半导体封拆设备:可供给一系列用于半导体封拆的等离子除浮渣设备、整平设备及撕膜设备,从而成为国内少数可以或许同时从营CCP以及金属取多晶硅干法刻蚀设备的厂商之一。具有刻蚀速度高、平均性好等特点。将来随著产线的进一步落产,目前宝丰堂制制并供给用于半导体封拆的等离子处置设备,持续提拔中国国产等离子及半导体手艺学问产权自从可控。实现了更小尺寸芯片的出产,▲2022年至2025年1-6月,宝丰堂向供应商采购用于制制产物的各类材料,反映了相对较高的国产化比例。宝丰堂收入、净利润、研发收入变化(芯工具制图)按照招股书,干法刻蚀设备已笼盖电容耦合等离子体刻蚀(CCP)手艺,无法满脚环节器件的环节尺寸要求。笼盖各类封拆类型的工艺,其采购打算乃按照存货程度及市场供应环境而制定。次要担任二极管产质量量节制及生命周期测试。合用接触孔刻蚀、钝化层刻蚀、硬掩模刻蚀、瞄准标识表记标帜刻蚀等多种工艺,2022年、2023年、2024年、2025年1-6月,